㈠ 關於高頻mos管MRF171A的封裝辨別與使用
手冊上不是有寫嗎，1,3是S極，2是G極，4是D極，安裝一般是把PCB挖空，金屬座嵌入在PCb裡面，然後固定在散熱片上。
㈡ 有那個大哥知道MOS管的耗盡型和增強型怎麼區分
看構成呀
㈢ mos管 集成電路 肖特基怎麼區分
1、看文字，從文字、特別是型號上能分辯，
2、看管腳，mos管3~4個腳，且較粗； 集成電路，腳數不限，但都比較細， 肖特基腳數2~3個圓柱形居多，
3、對於貼片封裝的，看個頭大小，mos管 集成電路 肖特基一般是從大到小加以區分，
不明情況下，一般不宜測量區分。
㈣ 怎樣判斷場效應管的電流流向，gsd三個極的電流是怎樣的
N溝道場效應管電流D-S，P溝道場效應管電流S-D，G只有電壓沒有電流。
㈤ 如何准確的區分MOS管的三個管腳，盡量解釋的通俗易懂點。
判定柵極G：將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一隻表筆依次去接觸其餘的兩個極，測其電阻。若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極。漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道；若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
判定源極S、漏極D：在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
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MOS管如何快速判斷與好壞及引腳性能
1、用10K檔，內有15伏電池。可提供導通電壓。
2、因為柵極等效於電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。
3、利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由於柵極上電荷能保持，上述兩步可分先後，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。
4、大都源漏間有反並二極體，應注意，及幫助判斷。
5、大都封庄為字面對自已時，左柵中漏右源。以上前三點必需掌握，後兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。
㈥ MOS管的引腳，G、S、D分別代表什麼
G：來gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。自N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強耗盡接法基本一樣。
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。
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MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。
無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極體做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極體快。
參考資料來源：網路—MOS管
㈦ mos管的源極與漏極區分方法
呵呵，希望對你有用~~
㈧ 場效應管（MOS）三個腳怎麼區分N和P怎麼區分
場效應管的柵極相當於晶體管的基極，源極和漏極分別對應於晶體管的發射極和集電極。將萬用表置於R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），餘下的一個管腳即為柵極G。
根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極：若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是N溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結，即是正向電阻，判定為P溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。
㈨ 場效應管GSD
這是一個mos管，這種場管的G跟D和S是絕緣的，無論D和S加不加電壓，R221上都不會出現電流和電壓。工作原理就是在G和S之間加上電壓，D和S之間的電流會隨GS之間的電壓增大而增大，實現GS間電壓對DS間電流的控制。
㈩ 怎麼區分MOS管的 D集 S集 G集
下面兩腳：左面為G 右面為S 上面為D
如圖所示：
補充：
mos管是金屬氧化物半導體場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出，一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓Mos管。